據(jù)工信部3月28日發(fā)布的消息，汽車芯片是汽車電子系統(tǒng)的核心元器件，是汽車產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)轉(zhuǎn)型升級的重要基礎(chǔ)。與消費類及工業(yè)類芯片相比，汽車芯片的應(yīng)用場景更為特殊，對環(huán)境適應(yīng)性、可靠性和安全性的要求也較為嚴苛，需要充分考慮芯片在車上應(yīng)用的實際需求，有效開展汽車芯片標準化工作，更好滿足汽車技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要。
與此同時，隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，網(wǎng)聯(lián)化、智能化等技術(shù)在汽車領(lǐng)域加速融合應(yīng)用，我國汽車芯片的產(chǎn)品覆蓋度、技術(shù)先進性和應(yīng)用成熟度不斷提升，也為開展汽車芯片標準化工作奠定了良好基礎(chǔ)。
為系統(tǒng)部署和科學規(guī)劃汽車芯片標準化工作，引領(lǐng)和規(guī)范汽車芯片技術(shù)研發(fā)和匹配應(yīng)用，推動汽車芯片產(chǎn)業(yè)健康可持續(xù)發(fā)展，工信部組織有關(guān)單位編制了《國家汽車芯片標準體系建設(shè)指南（2023版）》（征求意見稿）（下文簡稱《建設(shè)指南》），現(xiàn)公開征求社會各界意見。
《建設(shè)指南》提出，到2025年，制定30項以上汽車芯片重點標準，涵蓋環(huán)境及可靠性、電磁兼容、功能安全及信息安全等通用要求，控制芯片、計算芯片、存儲芯片、功率芯片及通信芯片等重點產(chǎn)品與應(yīng)用技術(shù)要求，以及整車及關(guān)鍵系統(tǒng)匹配試驗方法，以引導(dǎo)和規(guī)范汽車芯片產(chǎn)品實現(xiàn)安全、可靠和高效的應(yīng)用。
到2030年，制定70項以上汽車芯片相關(guān)標準，實現(xiàn)基礎(chǔ)、通用要求、產(chǎn)品與技術(shù)應(yīng)用以及匹配試驗等重點領(lǐng)域均有標準支撐，加快推動汽車芯片技術(shù)和產(chǎn)品健康發(fā)展?！ ?/p>
《建設(shè)指南》梳理分析了我國汽車芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢，從應(yīng)用場景和標準內(nèi)容兩個維度搭建標準體系架構(gòu)。
圖1 汽車芯片標準體系技術(shù)結(jié)構(gòu)圖
汽車芯片標準體系技術(shù)結(jié)構(gòu)，以“汽車芯片應(yīng)用場景”為橫向出發(fā)點，包括動力系統(tǒng)、底盤系統(tǒng)、車身系統(tǒng)、座艙系統(tǒng)及智能駕駛五個方面；向上延伸形成基于應(yīng)用場景需求的汽車芯片各項技術(shù)規(guī)范和試驗方法，根據(jù)標準內(nèi)容分為基礎(chǔ)通用、產(chǎn)品與技術(shù)應(yīng)用和匹配試驗三類標準：基礎(chǔ)通用類標準包含汽車芯片的共性要求；產(chǎn)品與技術(shù)應(yīng)用類標準基于各類汽車芯片產(chǎn)品技術(shù)和應(yīng)用特點分為多個技術(shù)方向，結(jié)合我國汽車芯片產(chǎn)業(yè)成熟度和發(fā)展趨勢確定標準制定需求，制定相應(yīng)標準；匹配試驗類標準包含芯片與系統(tǒng)和整車兩個層級的匹配試驗驗證。三類標準共同實現(xiàn)不同應(yīng)用場景下汽車關(guān)鍵芯片從器件-模塊-系統(tǒng)-整車的技術(shù)標準全覆蓋。
圖2 汽車芯片標準體系架構(gòu)
根據(jù)實現(xiàn)功能的不同，《建設(shè)指南》將汽車芯片產(chǎn)品分為10個類別，分別是：控制芯片、計算芯片、傳感芯片、通信芯片、存儲芯片、安全芯片、功率芯片、驅(qū)動芯片、電源管理芯片、其他類芯片。再基于具體應(yīng)用場景、實現(xiàn)方式和主要功能等對各類汽車芯片進行技術(shù)方向和標準規(guī)劃。其中，控制芯片包括，通用要求、發(fā)動機、底盤等技術(shù)方向；計算芯片包括，智能座艙和智能駕駛等技術(shù)方向；傳感芯片包括，圖像傳感器、紅外熱成像、毫米波雷達、激光雷達、電流傳感器、壓力傳感器、角度傳感器等技術(shù)方向；通信芯片包括，蜂窩、直連、衛(wèi)星、藍牙、無線局域網(wǎng)（WLAN）、超寬帶（UWB）、以太網(wǎng)等技術(shù)方向；存儲芯片包括，靜態(tài)存儲（SRAM）、動態(tài)存儲（DRAM）、非易失閃存（包括NOR FLASH、NAND FLASH、EEPROM）等技術(shù)方向；安全芯片包括通用要求等技術(shù)方向；功率芯片包括，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、碳化硅和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等技術(shù)方向；驅(qū)動芯片包括，通用要求、功率驅(qū)動芯片、顯示驅(qū)動芯片等技術(shù)方向；電源管理芯片包括，通用要求、電池管理系統(tǒng)（BMS）模擬前端芯片、數(shù)字隔離器等技術(shù)方向；其他類芯片包括電池管理系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片（SBC）等技術(shù)方向。
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